二极管 整流器 场效应管 半导体现货 集成电路IC

中邦半导体发暴露状及他日预计

半导体现货

  2018年8月30-31日,由上海有色网(SMM)主办、千岛锡品独家冠名、云南锡业特邀协办的“2018(第八届)锡产业链高峰论坛”上,SEMI中国产业研究与咨询杜姗姗资深分析师向我们阐述了半导体产业介绍及中国集成电路的发展投资现状。

  半导体芯片是电子产业的心脏,在最新的工艺中,DRAM4T晶体管最多80亿颗处理器。

  全球半导体产业已经从上世纪70年代到2000年的快速增长期,进入2001至2016年的稳定成熟发展期,而2017年由于市场新兴应用的推动恢复活力,2017年全球半导体市场首次突破4000亿美元,出现跳跃性增长。

中邦半导体发暴露状及他日预计

  集成电路是半导体四大类产品中最大的组成部分,占比达到84%;而存储器产品又在集成电路产品分类中占1/3以上的份额,未来两年预计模拟器和处理器在移动智能终端应用需求带动下仍将保持较高的成长;而光电子器件、传感器也在移动终端、汽车电子、工业领域应用的带动下增速较快。

  2017年存储器强劲的出货量和单价上涨推动了全球半导体市场,除了存储器,工业电子、无线应用、汽车电子和消费电子也促进了2017年市场增长。电子连接、数据中心、通讯、汽车产业和先进软件等应用的市场需求巨大,将持续推动全球半导体市场的成长至2025。

  半导体产业链:近年来,中国集成电路发展迅速,逐渐成为全球集成电路产业发展的热土,2017年占全球产能12%。

  全球半导体产能地区分布:中国作为全球电子产品制造中心,是全球最大的半导体消费市场。中国为全球提供了超过80%的智能手机,70%的便携电脑和平板电脑,50%的平板电视另外,国内外的电子产品供应商都在中国设立的半导体制造中心。

  2017年中国集成电路产业达到5411亿元,维持着25%的快速成长,中国集成电路产业链结构进一步优化,持续增加设计业和制造业的比重,2020年的目标是设计业:制造业:封测业=4:3:3。

  根据对中国主要晶圆制造企业的分析,预估未来十年中国的产能平均成长率可达10%,远超过全球的平均增长率3-6%。预估2025年,中国产能将为2015年的三倍,对全球产能的贡献将从目前的10%提高到20%以上。

  对比2016年,除了东南亚地区,全球各个地区的设备销售都有明显增长。2017年,受益于三星扩产,韩国地区设备销售远超2016年的60亿美元。

  2、2014年发布的集成电路纲要和十三五规划(2016-2020)在全国范围内推动了新一波集成电路Fab投资热潮,各地纷纷成立产业基金

  3、大多数关键的集成电路制造项目都或多或少得到国家大基金或地方政府的扶植和投资

  5、在存储器和代工厂Foundry的投资中,国际企业和本土企业的投资各有春秋

  6、中兴事件大大提升了国民对半导体产业重要性的认知,进一步推动了国内资本对半导体产业的投资积极性

  1、中国半导体投资看上去不缺资本,然而不少地方政府的产业基金并没有完全筹集到位

  4、伴随着中国集成电路快速发展对人才的大量引进,随之而来的专利侵权等问题不容忽视

  5、 由于中国集成电路的大量扩产,长期来说必然造成在某些特定产品或者领域产能过剩

  6、集成电路领先地区在美国的带头下对中国并不是很友好,导致中国想通过技术引进或者收购兼并先进企业变得困难

  随着国内电子工业的快速发展,电子锡焊料得到了极大的发展,普通的丝、条、棒、片、粉、剂好不逊色于国外产品,但在更精细化的产品及某些高端应用领域任有相当的差距,有的甚至完全依赖进口。近几年电子锡焊料向环保和新兴产业方向转移,无铅焊料占比逐年增加,约占60%。锡焊料产业结构发生明显变化,如锡丝、锡条的产量稳中有降,锡粉、锡膏的市场需求逐年增加。

  锡在半导体中主要应用于消费电子,其终端产品为笔记本,移动通讯设备,LED,LCD、DVD,车载用液晶电视,家庭影院,卫星系统等消费性电子产品。

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  CD4051B,CD4052B和CD4053B模拟多路复用器是数字控制的模拟开关,具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。通过4.5 V至20 V的数字信号幅度可以实现高达20 V PP 的模拟​​信号控制(如果V DD - V SS = 3 V,V DD - V EE 最高可达13 V;对于V DD - V EE

  高于13 V的电平差,V DD - V SS 至少需要4.5 V)。例如,如果V DD = 4.5 V,V SS = 0 V,并且V EE = ?? 13.5 V,模拟信号来自? ?13 V至4.5 V可通过0 V至5 V的数字输入进行控制。这些多路复用器电路在整个V DD - V SS 上消耗极低的静态功耗, V DD - V EE 电源电压范围,与控制信号的逻辑状态无关。当禁止(INH)输入出现逻辑高电平(H)时,所有通道都关闭。 CD4051B是一个8通道多路复用器,具有三个二进制控制输入(A,B和C)和禁止输入。三个二进制信号选择八个通道中的一个接通,并将八个输入中的一个连接到输出。 CD4052B是一个差分四通道多路复用器,具有两个二进制控制输入(A和B) )和抑制输入。两个二进制输入信号选择要打开的四对通道中的一个,并将模拟输入连接到输...

  SN74CB3T16212是一款高速TTL兼容FET总线交换开关,具有低导通电阻(r on ),允许最小的传播延迟。该器件通过提供跟踪V CC 的电压转换,完全支持所有数据I / O端口上的混合模式信号操作。 SN74CB3T16212支持采用5 V TTL,3.3 V LVTTL和2.5 V CMOS开关标准的系统,以及用户定义的开关电平(参见图1)。 SN74CB3T16212采用24电路供电位总线位总线交换机,提供四个信号端口之间的数据交换。选择(S0,S1,S2)输入控制总线交换开关的数据路径。当总线交换机开启时,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当总线交换开关关闭时,A和B端口之间存在高阻抗状态。 该器件完全指定用于部分断电应用,使用I off 。 I off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。器件在断电期间具有隔离功能。 为了确保上电或断电期间的高阻态,每个选择输入应通过下拉电阻连接到GND;电阻的最小值由驱动器的电流源能力决定。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 输出电压转换轨迹V CC 支持所有数据I / O端口上的混合模式信号操作 5-V输入低至3.3V输出电平转换,3.3VV CC 5V / ...

  ALS138A和AS138是3线线解码器/解复用器,专为需要非常高性能的存储器解码或数据路由应用而设计短传播延迟时间。在高性能系统中,这些设备可用于最小化系统解码的影响。当与具有快速使能电路的高速存储器一起使用时,解码器的延迟时间和存储器的使能时间通常小于存储器的典型存取时间。肖特基钳位系统解码器引入的有效系统延迟可以忽略不计。 二进制选择(A,B和C)输入的条件和三个使能(G1, ,和)输入选择八个输出行中的一个。两个低电平有效和一个高电平有效使能输入可在扩展时减少对外部门或逆变器的需求。无需外部逆变器即可实现24线线解码器仅需一个逆变器。使能输入可用作多路分解应用的数据输入。 SN54ALS138A和SN54AS138的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALS138A和SN74AS138的工作温度范围为0°C至70°C。 特性 专为高速内存解码器和数据传输系统而设计 合并三个启用输入以简化级联和/或数据接收 封装选项包括塑料小外形(D)封装,陶瓷芯片载体(FK),标准塑料(N)和陶瓷(J)300密耳DIP 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function ...

  SN74CB3Q32245 32 位总线是一款高带宽FET总线开关,利用电荷泵提升传输晶体管的栅极电压,提供低而平坦的导通状态阻力(r on )。低而平坦的导通电阻允许最小的传播延迟,并支持数据输入/输出(I / O)端口上的轨到轨切换。该器件还具有低数据I / O电容,可最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失线专为支持高带宽应用而设计,提供优化的接口解决方案,非常适合宽带通信,网络和数据密集型计算系统。 SN74CB3Q32245由四个8位总线交换机组成单独的输出使能(1OE \,2OE \,3OE \,4OE \)输入。它可以用作四个8位总线位总线位总线开关。当OE \为低电平时,相关的8位总线开关接通,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE \为高电平时,相关的8位总线开关关闭,A和B端口之间存在高阻态。 该器件完全适用于部分关断应用我关。 I off 电路可防止在断电时损坏通过器件的电流。器件在断电期间具有隔离功能。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 特性 德州仪器广播公司的成员+ ??系列 高带宽...

  SN74CBT3383C是一款高速TTL兼容FET总线交换开关,具有低导通电阻(r on ) ,允许最小的传播延迟。 SN74CBT3383C的A和B端口上的有源下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在正常的OFF状态,为低至2 V的下冲提供保护。 SN74CBT3383C组织为10位总线位总线交换开关,具有单个输出使能(BE)\输入,提供四个信号端口之间的数据交换。选择(BX)输入控制总线交换开关的数据路径。当BE \为低电平时,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当BE \为高电平时,A和B端口之间存在高阻态。 使用I off 为部分断电应用完全指定该器件。 I off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。器件在断电期间具有隔离功能。 为了确保上电或断电期间的高阻态,BE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 特性 对A和B端口上的隔离进行下冲保护,最高可达?? 2 双向数据流,带近零传播延迟 低导通电阻(r on )特性(r on = 3 典型的) 低输入/输出电容可最大限度地减少加载和信号失真(C io(OFF) = 8 pF典型值) 数据和控制输入提供下冲钳位二...

  在SN74CB3Q16245是利用电荷泵以提升传输晶体管的栅极电压的高带宽FET总线开关,提供低且平坦接通状态阻力(r on )。低而平坦的导通电阻允许最小的传播延迟,并支持数据输入/输出(I / O)端口上的轨到轨切换。该器件还具有低数据I / O电容,可最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。专门设计成支持高带宽应用中,SN74CB3Q16245提供非常适合宽带通信,网络,和数据密集型计算系统的一个优化的接口的解决方案。 在SN74CB3Q16245被组织为具有两个8位总线OE \)输入。它可以用作两个8位总线位总线开关。当OE \为低电平时,相关的8位总线开关接通,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE \为高时,相关联的8位总线开关为OFF,并且A和B端口之间存在高阻抗状态。 此装置被完全用于使用部分断电应用指定我关。 I off 电路可防止在断电时损坏通过器件的电流。器件在断电期间具有隔离功能。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 高带宽数据路径(...

  SN74BCT2414是一款专门设计用于内存系统的解码器,可在电源故障时备用电池。具有独立和公共控制输入的两个独立的2线线解码器可以外部级联,以实现3线线解码器。 该电路有两个电源电压输入:电压monitor(bandgap)通过V CC 终端供电;电路的内部逻辑通过V bat 端子供电。如果V CC 降至3.65 V(标称值)以下,电压监控器会强制电压控制(VS)和解码器输出(Y)为高电平。 VS可用于断开存储器的电源电压(V bat )与系统电源的连接。当片内电源电压监视器检测到电源故障时,此输出将关闭。 SN74BCT2414的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。 特性 BiCMOS设计大幅降低待机电流 两个独立的2线线线解码器 用于简易级联的独立使能输入 两个电源电压端子(V CC 和V bat )

  V CC的内置电源电压监视器 V CC 期间输出自动切断 封装选项包括塑料小外形(DW)封装和标准塑料300密耳DIP(N) 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (...

  LV138A器件是3线线解码器/解复用器,设计用于2 V至5.5 VV CC 这些器件专为需要极短传播延迟时间的高性能存储器解码或数据路由应用而设计。在高性能存储器系统中,这些解码器可用于最小化系统解码的影响。当采用利用快速使能电路的高速存储器时,这些解码器的延迟时间和存储器的使能时间通常小于存储器的典型存取时间。这意味着解码器引入的有效系统延迟可以忽略不计。 二进制选择输入(A,B,C)和三个使能输入的条件(G1, G2A , G2B )选择八个输出行中的一个。两个低电平有效( G2A , G2B )和一个高电平有效(G1)使能输入在扩展时减少了对外部门或逆变器的需求。无需外部逆变器即可实现24线线解码器仅需一个逆变器。使能输入可用作多路分解应用的数据输入。 使用I off 为部分断电应用完全指定这些器件。 I off 电路禁用输出,防止电流断电时损坏电流回流。 特性 2-V至5.5-VV CC 操作 Max t pd 9.5 ns,5 V 典型V OLP (输出接地反弹)< 0.8 V,V CC = 3.3 V, T A = 25°C 典型的V OHV (输出V OH 下冲)

  ?? AHCT139器件是双路2线线解码器/解复用器,设计用于4.5 V至5.5 VV CC 操作。这些器件设计用于需要非常短的传播延迟时间的高性能存储器解码或数据路由应用。在高性能存储器系统中,这些解码器可用于最小化系统解码的影响。当与利用快速使能电路的高速存储器一起使用时,这些解码器的延迟时间和存储器的使能时间通常小于存储器的典型存取时间。这意味着解码器引入的有效系统延迟可以忽略不计。 低电平有效使能(G)\输入可用作多路分解应用中的数据线。这些解码器/解复用器具有完全缓冲的输入,每个输入仅代表其驱动电路的一个归一化负载。 特性 输入兼容TTL电压 专为高速存储器解码器和数据传输系统而设计 合并两个使能输入以简化级联和/或数据接收 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) I...

  这款8通道CMOS模拟多路复用器/多路分离器与?? 4051功能引脚兼容,另外还具有极佳的注入电流效应控制功能电压超过正常电源电压的汽车应用中的值。 注入电流效应控制允许禁用的模拟输入通道上的信号超过电源电压,而不会影响使能模拟通道的信号。这消除了通常用于将模拟通道信号保持在电源电压范围内的外部二极管/电阻网络的需要。 特性 注入电流交叉耦合

  此8通道CMOS模拟多路复用器和多路分解器设计用于2 V至5.5 VV CC 操作。 SN74LV4051A处理模拟和数字信号。每个通道允许幅度高达5.5 V(峰值)的信号在任一方向传输。 应用包括信号选通,斩波,调制或解调(调制解调器)和模拟到数字的信号多路复用和数模转换系统。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果 设备温度等级1 :?? 40°C至+ 125°C 环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4B 2-V至5.5-VV CC 操作 支持所有端口上的混合模式电压操作 High On - 输出电压比...

  德州仪器 (TI) 动态近场通信 (NFC)/射频识别 (RFID) 接口应答器 RF430CL331H 是一款 NFC 标签类型 4 器件,可结合一个非接触式 NFC/RFID 接口和一个有线C 接口将器件连接到主机。NDEF 消息可通过集成的 I2C 串行通信接口读写,也可通过支持高达 848kbps 速率的集成 ISO/IEC 14443 标准类型 B RF 接口进行非接触式访问或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应 NFC 类型 4 命令,每次仅在其缓存中存储部分 NDEF 消息。这使得 NDEF 消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存、预取和写自动确认 功能, 可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的 NFC 连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如 , 低功耗 (BLE) 或 Wi-Fi 的配对过程或认证过程。 作为一个常见 NFC 接口,RF430CL331H 使得终端设备能够与启用 NFC 的智能手机、平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I2C 接口允许对内部静态随机存取存储器 (SRAM) 进行读写操作 预取、缓存和自动应答 特性 提高数...

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