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场效应管放大电途图大全(五款场效应晶体管放

场效应管

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  场效应管放大电路图大全(五款场效应晶体管放大电路原理图详解) - 全文

  本文主要介绍了场效应管放大电路图大全(五款场效应管放大电路原理图详解)。该电路中,电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,使其工作在放大状态。由外接天线接收天空中的各种信号,交流信号通过C1,进入LC谐振电路。LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的,谐振电路选频后,经C4耦合至场效应管VT的栅极,与栅极负偏压叠加,加到场效应管栅极上,使场效应管的漏极电流ID相应变化,并在负载电阻器R1上产生压降,经C5隔离直流后输出,在输出端即得到放大了的信号电压。

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  电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,使其工作在放大状态。由外接天线接收天空中的各种信号,交流信号通过C1,进入LC谐振电路。LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的,谐振电路选频后,经C4耦合至场效应管VT的栅极,与栅极负偏压叠加,加到场效应管栅极上,使场效应管的漏极电流ID相应变化,并在负载电阻器R1上产生压降,经C5隔离直流后输出,在输出端即得到放大了的信号电压。放大后的信号送入三极管的基极,由三极管放大后输出较纯净的音频信号送到耳机。图3-27所示是FM收音机调谐电路,它是由高频放大器

  振荡器VT2等部分构成的。天线感应的FM调频广播信号,经输入变压器L1加到VT1晶体管的栅极,VT1为高频放大器主要器件,它将FM高频信号放大后经变压器L2加到混频电路VT3的栅极,VT2和LC谐振电路构成本机振荡器,振荡信号由振荡变压器的次级送往混频电路VT3的源极。混频电路VT3由漏极输出,经中频变压器IFT(L4)输出10.7MHz中频信号。

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  与双极型晶体管一样,场效AM29LV017D-70EC应管也有三种基本接法:共源、共漏和共栅极接法,其中,共源相当于共发射极接法;共漏相当于共集电极接法;共栅相当于共基极接法。

  共源极电路,如图4-19(a)所示,相当于双极晶体管的共发射极电路。当交流信号Ui经C,加到栅一源极时,使栅极偏压随信号而变,于是控制了ID的变化,在RL上产生压降,通过C2将放大了的信号电压输出。

  如果用Rc;表示场效应管的栅极偏置电阻,用R喁表示场效应管的栅一源间电阻,则共源电路的输入电阻R,=Rc//Rcs≈Rc(因Rcs》Rc)。

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  共栅极电路,如图4-19(c)所示,它与晶体管共基电路相近。其输入电阻极低(Ri≈l/gm),输出电阻较高R。≈R。,有良好的电压放大特性,因而常用于高频电压放大。

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  第二级放大电路作源极输出器,旨在匹配电路,提高前级的负载能力,放大倍数近似为1。静态工作点仍然十分重要,Tf2源极电位实测为5.5V,位于电源电压的中值附近,很好。在该级上,同样可算出漏极电流2.75mA,也要满足甲类放大器对静态的要求。

  以Tm1和Tm3为例,其检测参数主要是IDDS,即当VGS=0时的漏极电流。在VGS=0时,测出IDDS,其值相近为宜。同样地,Tm2和Tm4也要与Tm1或Tm3静态值相差无几,或相近。只有这4个场效应管静态值大致相同,才有可能做出优质的放大器来。成批生产的放大器价格很高,正是这些电路中使用的元件匹配困难,造成

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  自偏压电路如图3-10所示。在图中,场效应管栅极通过栅极电阻RG接地,源极通过源极电阻

  接地。这种偏置方式利用JFET(或耗尽型MOS管)在栅源电压uGS=0时,漏极电流iD≠0的特点,以漏极电流在源极电阻RS上的直流压降,给栅源之间提供反向偏置电压。也就是说,在静态时,源极电位uS=iDRS,由于栅极电流为0,RG上没有压降,栅极电位uG=0,所以栅源之间的偏置电压为

  对于图3-10电路的静态工作点,可以利用式(3-1)和式(3-3)求联立方程,即

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  虽然自偏压电路比较简单,但是当静态工作点确定后,uGS和iD就确定了,因而RS选择的范围很小。分压式自偏压电路是在图3-10电路的基础上加接分压电阻后组成的,如图3-11所示。漏极电源VDD经分压电阻RG1和RG2分压后,通过RG3供给栅极电压,uG=RG2VDD/(RG1+RG2);同时漏极电流在源极电阻RS上也产生压降,uS=iDRS。因此,静态时加在JFET上的栅源电压为

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